FLZ可控硅整流柜采用富士技术，用进口1500A/4000V晶闸管组成三柜三桥并列运行，共阴共阳3只管各组成一半桥串，交流侧阻容吸收和可控硅桥臂阻容吸收合为一体，采用反向阻断或阻容吸收回路。冷却方式采用强迫风冷，装设双风机。1台运行，1台备用，当工作风机故障时自动切换至备用风机。当可控硅内发生熔丝熔断后，应尽可能退出故障柜，排除故障原因，更换熔断熔丝，如本柜无法退出运行，则应限制机组出力，直至机组退出运行。

　　FLD电气制动操作开关柜内安装2台3WE交流空气开关，1台开关将整流变压器来的三相电源接至可控硅整流桥阳极，另1台开关将制动变压器来的三相电源接至可控硅整流桥阳极，任何时刻2台开关只能合上1台。

　　一起事故是1999年7月因雷击、下雨，厂用电电压不稳定，4号机组励磁风机主、备用电源频繁切换，励磁电源小开关过热跳闸，风机停运，由人工恢复后，恰逢外来电源线路因雷击而发生单相接地故障，励磁系统强迫增磁，转子电流升高，励磁功率柜温度进一步增高，导致部分快熔熔断，部分可控硅元件热击穿，使得3个功率柜输出电流不一致，最终4号机强迫停机。

　　另一起事故在3号机投运2个月后，因励磁功率柜风机控制回路接触器KA1的B相断相引起。B相断相引起风机缺相运行，从而导致主、备用电源A、C相均过流，热保护元件KH1、KH2动作，KA3及KA4跳闸，风机停风后，由于/功率柜故障信号0未能及时反映出来，经长时间的停风运行，大功率元件可控硅产生的热量不能及时散出，使元件温升越来越高，最终导致可控硅元件热击穿，可控硅热击穿后，交流电压串到直流侧引起转子过电压保护动作，同时，击穿的可控硅导致交流侧短路，短路电流使快熔熔断，最终机组强迫停机。

　　两起事故均暴露出励磁系统存在着问题：（1）可控硅整流柜（FLZ）作为励磁系统的主要组件，必须保障其运行的可靠性。按设计要求，3台柜任意退出1台，仍能满足系统强励要求，但实际并不能满足要求。

　　（2）可控硅作为大功率元件，在运行中的损耗为4000W/台，这就要求冷却方式必须可靠，该电路冷却方式采用强迫风冷，装设双风机，1台运行，1台备用，当工作风机故障时，自动切至备用风机。2台风机主、备用电源设计应尽量合理，若主电源为厂用电，备用电源为励磁自用电，当厂用电电压不稳定时，会导致风机主、备用电源频繁切换，风机频繁启停。

　　结语天生桥一级水电站励磁系统投运1年多来，许多性能指标都很好，如运行可靠，操作简单，正常开、停机均为全自动方式；维护检修便捷，故障指示到插件板，并记录故障类型、故障点，配有便携式计算机作为专用调试工具；该系统的所有调节控制功能以及限制保护均通过计算机软件来完成等。但由于磁励系统的功率柜受多种因素影响，造成发生2次强迫停机事故，烧毁可控硅15个。通过外部环境和设备本身的改进，目前，4台机组励磁系统运行正常，为/西电东送0，带来了良好的经济效益和社会效益。