电力设备板块受益于1-7月电网投资特别是特高压投资的高速增长，在最近持续跑赢大盘。在全年目标没有变化的情况下，下半年投资增速放缓是既定的事实，但是在结构上将流向上半年低于预期的配网。另外，风电行业拐点来临，低压电器行业受益地产复苏和原材料下跌，同样值得关注。
明年或迎来配网投资高峰。今年1-7月，电网投资同比增长17%，达1947元，如此高的增速主要得益于上半年特高压的集中交货。我们认为，下半年超过两位数的高速增长不可能维持，投资结构也将维持。但是，我们预期明年配网投资将迎来高峰，投资占比将大幅上升，利好配网设备企业。
配网自动化建设将迎来高峰。国务院常务会将加快配电网和智能电网建设定为今后工作的重点，过去几年经过配网自动化试点、示范工程，配网自动化的技术方案逐步成熟，有在全国范围内加快推广的可能，未来配电自动化投资有望继续快速增长。国网规划到2015年之前，其配网自动化投资就将达400亿，而过去每年的投资仅20-30亿，市场具备成倍增长的想象空间。
风电行业迎来转折点。我国风电行业在过去几年经历了大跃进式的发展，造成了并网难、事故频发等后果，行业在11和12年步入了低谷。但是12年底和13年出现的几个迹象让我们判断风电行业已经触底，包括吊装量企稳、招标量翻倍、消纳好转、风机价格回升等。行业未来几年将迎来稳健成长。
低压电器行业受益房地产复苏和金属下跌。房地产行业的开工面积在13年上半年重回正增长，竣工面积也维持了稳定的增速，利好低压电器行业需求。
1-8月主要原材料铜价和银价大幅下跌，美国退出QE的预期将持续压低原材料价格，预计下半年价格仍然疲弱，利好低压电器行业的毛利率。
我国政府已经制定了在十二五期间高压开关行业的发展规划，其中重点提到了加强开关智能化的研制工作，其技术发展也与电器元件的智能化惜惜相关。
十二五时期，我国高压开关行业应以坚强智能电网全面建设为契机，以特高压交、直流输电工程为依托，增强自主创新能力，大力提升开关设备智能化水平，推进环保、节能、减排设备；应以特高压输电技术和先进电气设备及集成技术为重点发展领域，深入开展1000kV特高压输电及关键设备、核心技术研究，加速交、直流高压设备的完全国产化；并通过对先进电气设备及集成技术的前期研究，力求在超导电力装备关键技术有重点突破；努力促进产业结构优化、升级，进一步提升行业整体技术水平和国际竞争力，努力实现高压开关行业由大到强的转变。
目前，电气产品的更新换代非常频繁，往往在短时间内，就可以淘汰很多旧式的产品系列。在电器元件智能化的同时，高压开关也不断向智能化方向推进。目前在国际上处于领先地位的高压开关柜产品具有脱扣回路断线监测、动作时间检测、接触部件检测、弹簧的储能时间检测等功能，综合这些功能就构成了智能化高压开关。
十二五期间，高压开关行业大型骨干企业，进一步深入开展特高压开关设备核心技术与关键部件的技术研究，实现特高压装备立足国内、自主研发、全面实现国产化的目标。结合智能电网、数字变电站、配网自动化等的建设，大力推进开关设备智能化。由于开关设备智能化技术尚属行业的弱项，故建议先易后难地开发研制，如：先开发配网用智能断路器，再研发配网智能化用开关柜，智能电网GIS、GCB及其他智能组件等，重点在开关一次设备和二次控制的整体融合与接口技术的研发。
全球半导体市场可望在2014年大发利市。新兴市场对中低价智慧型手机需求持续升温，除激励相关晶片开发商加紧研发更高性价比的解决方案外，亦掀动16/14奈米（nm）鳍式电晶体（FinFET）与三维（3D）快闪记忆体等新技术的投资热潮，为明年半导体产业挹注强劲成长动能。
应用材料副总裁暨台湾区总裁余定陆表示，单就出货量而言，现今高价智慧型手机的成长力道确实已不如中低价手机，促使手机品牌业者纷纷推出性价比更高的中低价产品，希冀藉此抢攻中国大陆、俄罗斯、东南亚与中南美等新兴市场，进而激励半导体产业市场产值向上成长。
余定陆进一步指出，过去个人电脑盛行时，电脑销售是以「户」为单位，因此销售成长有限；现今智慧型手机销售则是以「人」为单位，成长力道自然相对更加强劲，并同时可创造出更多半导体生产、封装与设计的需求。毫无疑问，智慧型手机目前正主导着全球半导体市场，特别是未来中低价智慧型手机更是引燃2014年半导体市场商机炽热的新火种。
随着中低价智慧型手机已成为手机品牌业者新的主战场，各家业者须推出「高贵不贵」的新产品，才有机会在激烈的市场中脱颖而出，因此半导体晶圆代工、封装业者也正戮力研发16/14奈米与3D快闪记忆体等技术，并进一步提升半导体设备与材料效能，协助晶片商打造高效能的中低价智慧型手机方案。
事实上，行动运算时代与过去个人电脑时代最大的差异处，在于产品对耗电量的要求。以手机应用处理器（AP）为例，其运作大约需要2瓦（W）电力，且温度须维持摄氏35度以下，才适合让消费者握在手中；笔记型电脑的处理器运算能力虽然是应用处理器的四倍，但需要50瓦电力，运作温度则是80度，显见半导体业者若要卡位行动装置商机，势必得减少电晶体耗电量。
余定陆补充，新一代16/14奈米FinFET与3D快闪记忆体将是改善电晶体效能的最佳解决方案，并为半导体设备产业带来更多商机；其中，16/14奈米FinFET将可为设备产业增加25～35%市场规模，快闪记忆体也将因为制程技术从2D转向3D而增加25～35%市场规模。